英诺赛科

  英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。

  11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用 将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地同时开展大规模量产

  摘要：英诺赛科推出 100V 双向导通器件，可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高

  英诺赛科（Innoscience）始终致力于推动GaN技术的发展，从而推动新一代电力电子设备的快速普及。2023年8月，

  近日，在深圳福田会展中心举办的电源展会上，英诺赛科带来的全线的氮化镓产品亮相。高压器件从650V提升到700V，并且升级

  直击氮化镓领域的无限可能！ 让氮化镓不再神秘，泰克携手英诺赛科一起加速未来科技

  中国北京2022年4月22日 — 近年来一直发力第三代半导体测试解决方案的泰克科技，最近携手英诺赛科一起致力于开发氮化镓

  近年来，一直发力第三代半导体测试解决方案的泰克科技，近期携手英诺赛科一起致力于开发氮化镓的应用未来，双方将合作攻克氮化镓

  2021年6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司在苏州汾湖高新区举办量产暨研发楼奠基仪式。英诺赛科成立于2015年，是

  外型小巧是该方案的一大特色，其内部电路设计更是十分精简，通过图片可见，该方案仅仅只用两块PCB板就实现了全部功能，让人眼

  采用杰华特ACF控制器，能实现全电压范围的软开关，使得系统工作频率高达300-500KHZ， 与第三代半导体GaN高频高

  英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。公司的基本的产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。

  英诺赛科已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快充、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等方面发布产品方案，并与国内多家应用头部企业组织深度合作，实现量产。英诺赛科作为技术全球领先的第三代半导体公司，在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域已实现重大突破，建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化镓量产平台，实现了中国第三代半导体零的突破。

  英诺赛科的核心技术团队由半导体和（电力）电子行业的专家和资深人士组成。 他们均来自世界一流的领先公司，在硅基氮化镓技术的开发和大规模量产方面拥有丰富的经验。

  此外，为了展示英诺赛科在氮化镓技术领域拥有的潜力，并更加顺利地推广产品，英诺赛科还汇集了系统工程领域的专家，用于进行面向特殊应用和客户的开发板及其他电路系统的研制。

  英诺赛科（Innoscience）创立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全产业链模式，集设计、研发、生产和销售为一体氮化镓（GaN ）的生产基地。

  公司成立之初，英诺赛科的创始人就深知，如果想实现氮化镓技术在市场上的广泛应用，产品的性能和可靠性只是根本。氮化镓功率电子器件在市场上要进行大规模推广，还要解决另外三个痛点：首先是成本，具备合理的价格才能被广泛采用。其次是具备大规模量产能力，以应对市场的爆发。第三，要确保器件供应链稳定，有了稳定的货源供应，客户能全心全意投入产品和系统的开发，无需担心因氮化镓器件供应战略的变化而导致停产。因此，Innoscience 明白，只有扩大 GaN 器件的产能并拥有自主可控的生产线，才有机会解决氮化镓功率电子器件在市场上进行大规模推广的三个痛点（价格、数量和供应安全）。

  从一开始，英诺赛科就战略性地将采用8英寸晶圆，与6英寸相比，8英寸晶圆的器件数量比6英寸晶圆多80%。同时，英诺赛科采用C-MOS工艺，以便将多年来在三极管生产领域积累的经验和优化措施应用在氮化镓晶圆的生产的基本工艺中。

  今天，英诺赛科已实现了最初的规划。目前，企业具有两座8英寸硅基氮化镓生产基地，采用最先进的8英寸生产的基本工艺，是全球产能最高的氮化镓器件厂商。

  目前，英诺赛科8英寸硅基氮化镓的产能达到每月10000片，并将逐渐扩大至每月70000片以上。

  我们能取得这些成就，离不开招银国际、ARM、SK和CATL等世界级投资方的支持。

  作者：马坤 （邮箱：） 随着中国芯GaN产品上市，引起了大家的关注，PD产品更是多姿多彩；纳微GaN产品和英诺赛科Ga...

  11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用 将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地同时开展大规模量产化工程问题研究提升氮化镓材料与器...

  摘要：英诺赛科推出 100V 双向导通器件，可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高效应用。   英诺赛科宣布推出 ...

  继420W 48V-5V、600W 48V-12V DCDC电源模块后，英诺赛科又推出一款1000W 方案，利用氮化镓寄生结电容小的特点，配合磁集成方案...

  英诺赛科（Innoscience）始终致力于推动GaN技术的发展，从而推动新一代电力电子设备的快速普及。2023年8月，英诺赛科推出了一款100V的Ga...

  近日，在深圳福田会展中心举办的电源展会上，英诺赛科带来的全线的氮化镓产品亮相。高压器件从650V提升到700V，并且升级了40V/100V/150V平台...

  直击氮化镓领域的无限可能！ 让氮化镓不再神秘，泰克携手英诺赛科一起加速未来科技

  中国北京2022年4月22日 — 近年来一直发力第三代半导体测试解决方案的泰克科技，最近携手英诺赛科一起致力于开发氮化镓的应用未来。未来，双方将携手克服...

  近年来，一直发力第三代半导体测试解决方案的泰克科技，近期携手英诺赛科一起致力于开发氮化镓的应用未来，双方将合作攻克氮化镓更快开关速度、更高开关频率等一系...

  2021年6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司在苏州汾湖高新区举办量产暨研发楼奠基仪式。英诺赛科成立于2015年，是全球领先的硅基氮化镓IDM企业，...

  外型小巧是该方案的一大特色，其内部电路设计更是十分精简，通过图片可见，该方案仅仅只用两块PCB板就实现了全部功能，让人眼前一亮。并且完全实现了核心技术的...

  采用杰华特ACF控制器，能实现全电压范围的软开关，使得系统工作频率高达300-500KHZ， 与第三代半导体GaN高频高效的特性相匹配，此款120W方案...

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